Esettanulmany Bölcsődés Gyermekről – Bipolaris Tranzisztor Karakterisztika
Figyelt kérdés Azt sem tudom, hogy hol találhatnék ilyen gyermeket, valamilyen intézményt keressek fel? Szóval fogalmam sincs hogy zajlik az ilyesmi. Ha tudtok olyan honlapot ahol megtudhatnám az elinduláshoz szükséges információt, kérlek írjátok meg. Köszönöm. 1/3 anonim válasza: 100% Nevelési tanácsadókban Bármely kórház gyermekpszichiátriai vagy pszichológiai osztályán Ilyen gyerekekkel foglalkozó alapítványoknál (pl. Vadaskert). Én előbb az intézményt keresném fel, hogy utána ők ajánlhassanak valakit az ott kezelt vagy foglalkoztatásra oda járó gyerekek közügkérdezhetem, hogy milyen szakos vagy, hova jársz? 2012. máj. 17. 10:26 Hasznos számodra ez a válasz? 2/3 A kérdező kommentje: Köszönöm szépen az ötletet. Pszichológia szakos:-) 3/3 anonim válasza: Én a legegyszerűbb megoldás szerintem, hogy ha voltál valahol gyerekekkel kapcsolatos gyakorlaton (nálunk gyermekklinikai terepgyakorlatnak hívták) azt az intézményt keresd meg újra. Gyopárosfürdő Magánszállások – Hausverw. 2012. 18. 08:28 Hasznos számodra ez a válasz? Kapcsolódó kérdések:
- Gyopárosfürdő Magánszállások – Hausverw
- 7.2.1. A tranzisztor nyitóirányú karakterisztikája
- Sulinet Tudásbázis
- Rencz Márta - A bipoláris tranzisztor I | doksi.net
- Bipoláris átmenet tranzisztor (BJT) | 3 Működési mód | Fontos felhasználások
Gyopárosfürdő Magánszállások – Hausverw
Részletezve a bölcsődében alkalmazott kapcsolattartási formákat és lehetőségeket, melyek nagyban segítik a kisgyermekek bölcsődei adaptációját. Nagyobb hangsúlyt... Sipos, Ágnes Szakdolgozatom témájának választásakor az volt a célom, hogy több irányból vizsgáljam meg a család és a bölcsőde kapcsolattartási formáit. Rövid bölcsődetörténeti kutatással kezdtem munkámat, majd a törvényi... Sarkadi, Gyuláné A dolgozat célja feltárni, milyen a bölcsőde és a családok közötti kapcsolat a Szatmári Kistérségi Bölcsődében, Nagyecseden. Melyek azok az együttműködési formák, melyeket a szülők és a kisgyermeknevelők is preferálnak.... Szőke, Szabina A szakdolgozat címe és témája a család és a gyermek szociális gondozása Magyarországon a XX. század első felétől. A szakdolgozat bemutatja a szociális gondoskodás elméleti és történeti hátterét, illetve a szociális gondoskodás... Szrdity, Enikő Szakdolgozatom témája a család és az intézmény együttműködélgozatom négy részből áll. Az első rész a bevezetés, amely tartalmazza témaválasztásom indoklását, a hipotézisek felállítását, illetve vizsgálati módszerem... Bátorligeti, Klaudia Szakdolgozatommal célom, hogy egy átfogó képet adjak a család és a munka témájával kapcsolatban.
Értékeld a munkánkat, ha tetszett oszd meg!
A bipoláris tranzisztor (ezt a tranzisztortípust nevezik egyszerűen tranzisztornak) egy kisméretű monokristály darabon létrehozott két azonos, és közte egy vékony, ezzel ellentétes vezetési típusú rétegből áll. Minden réteg rezisztív érintkezővel van ellátva. A két lehetséges felépítés: p-n-p illetve n-p-n tranzisztor. Az n-p-n tranzisztort feszültségmentes állapotban az 1. ábra mutatja. Mindkét p-n átmenetnél hasonló kiürített réteg jön létre, mint a dióda esetében. 1. ábra: n-p-n tranzisztor feszültségmentes állapotban A tranzisztor elektródái az emitter (E), bázis (B), és a kollektor (C, magyar szövegben néha: K). Bipoláris átmenet tranzisztor (BJT) | 3 Működési mód | Fontos felhasználások. Sokszor az emitter-bázis réteg között kialakult diódát "emitterdiódának", a kollektor-bázis réteg közötti diódát "kollektordiódának" nevezik. A tranzisztor működéséhez az szükséges, hogy emitterdiódája nyitó irányban, kollektordiódája záró irányban legyen előfeszítve (2. ábra). 2. ábra: n-p-n tranzisztor előfeszített állapotban A bázisra az emitterhez képest nyitó irányú feszültséget kapcsolnak.
7.2.1. A Tranzisztor Nyitóirányú Karakterisztikája
Kimeneti jellemzők: A tranzisztor kimeneti karakterisztikáját a kollektoráram és a kollektor-bázis feszültség közé húzzák, az emitteráram állandó. A kimeneti jellemzők különböző szakaszokra oszlanak: Az aktív régió – Ebben az aktív módban az összes csomópont fordítottan előfeszített, és nem halad át áram az áramkörön. Ezért a tranzisztor OFF módban marad; nyitott kapcsolóként működik. A telítettségi régió – Ebben a telítettségi módban mindkét csomópont előre előfeszített, és az áram áthalad az áramkörön. Ezért a tranzisztor BE módban marad; zárt kapcsolóként működik. Lezárási régió – Ebben a levágási módban az egyik csomópont előrefeszített, a másik pedig fordított előfeszítésben van csatlakoztatva. Ezt a Cut-off módot áramerősítési célokra használják. Rencz Márta - A bipoláris tranzisztor I | doksi.net. CB (közös bázis) Common Base üzemmódban a bázis földelve van. Az EB csomópont a szabványos működés során előre előfeszített módon van csatlakoztatva; a bemeneti karakterisztika a pn diódával analóg. én E kap növekedni |V növekedésével CB |.
Sulinet TudáSbáZis
7. 2. 1. A tranzisztor nyitóirányú karakterisztikája 37. ábra A tranzisztor bemeneti karakterisztikája tulajdonképpen a bázis-emitterdióda nyitóirányú karakterisztikája. A bázis- emitter feszültség kis értéke mellett a bemeneti dióda lezárt állapotú, csak nagyon kis áram folyik. Sulinet Tudásbázis. A feszültséget növelve a nyitófeszültség értéke fölé a dióda kinyit és a feszültség növelésével arányosan nő a bázisáram. A karakterisztikából látható, hogy a bázisáram értékét kis mértékben a kollektor-emitter feszültség is meghatározza. Nagyobb kollektor-emitter feszültség esetén a karakterisztika jobbra tolódik el, vagyis ugyanakkora bázisáram nagyobb bázis-emitter feszültségnél jön létre.
Rencz Márta - A Bipoláris Tranzisztor I | Doksi.Net
Így a bemenő karakterisztika ugyanúgy egyetlen görbéből áll, mint a dióda esetében. 4. ábra: Szilícium npn tranzisztor UBE - IE karakterisztikája Tekintettel arra, hogy a kollektoráram és az emitteráram közelítőleg megegyezik, azt lehet mondani, hogy a tranzisztor UBE - IE karakterisztikája gyakorlatilag megegyezik UBE - IC karakterisztikájával. A tranzisztor kimenő karakterisztikája azt mutatja, hogy a kollektor-emitter feszültség (változatlan bázisáram mellett) miként hat a kollektoráramra (5. ábra). 5. ábra: Szilícium npn tranzisztor UCE - IC karakterisztikája Tekintettel arra, hogy a kollektoráram az emitteráram (és ezzel együtt a bázisáram) függvénye, a kimenő karakterisztikaként több görbét adnak meg, melyek különböző bázisáramok esetén mutatják a kollektoráramnak a kollektor-emitter feszültségtől való függését. Ideális esetben a kollektor-emitter feszültség nem befolyásolná a kollektoráramot, vagyis az ideális tranzisztor kimenő karakterisztikái vízszintes egyenesek lennének (a vízszintes tengelyen növekvő feszültség nem idézné elő a függőleges tengelyen az áram növekedését).
Bipoláris Átmenet Tranzisztor (Bjt) | 3 Működési Mód | Fontos Felhasználások
6. ábra: Kis és közepes teljesítményű tranzisztorok A tranzisztorok kivezetéseinek bekötése típusonként változhat, kétség esetén a gyártó katalógus adatlapja alapján tájékozódhatunk. A 7. ábra bal oldalán a kis teljesítményű tranzisztorok legáltalánosabb bekötését (néhány, ilyen bekötésű tranzisztortípus felsorolásával) láthatjuk, az ábra jobb oldala a közepes, ill. nagyobb teljesítményű tokok szokásos bekötését mutatja. 7. ábra: Tranzisztorok kivezetéseinek bekötése Külső hivatkozások Tranzisztor helyettesítés kereső
Jellemző IB, μA UBE, mV IB, μA UBE, mV UCE = 0 V UCE = 5 V A táblázat eredményei alapján készítsd el a tranzisztor bemeneti karakterisztikáját UCE = 0V és UCE = 5 V előfeszítés esetén is! 3. Áramátviteli (transzfer) karakterisztika mérése Az UCE feszültséget stabilan 5 V- on tartva, vegyél fel 10 különböző bázisáramot és mérd meg a hozzá tartozó IC kollektor áram értékét! A következő táblázatot használd! Jellemző IB, μA IC, mA B = IC/IB UCE = 5 V A táblázat eredményei alapján készítsd el a tranzisztor transzfer karakterisztikáját! 4. Kimeneti karakterisztika felvétele Különböző bázisáramokat beállítva mérd le a tranzisztor kimeneti jellemzőit! Az UCE feszültséget 1-10 V-ig növeld! A táblázat alapján készítsd el a tranzisztor kimeneti jelleggörbéjét is! Jellemző UCE, V IC, mA Jellemző UCE, V IC, mA Jellemző UCE, V IC, mA Jellemző UCE, V IC, mA IB = 10 μA IB = 20 μA IB = 40 μA IB = 100 μA